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原厂交期： 10W
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: Die 栅源极电压Vgs(Max): +6V, -4V 连续漏极电流ID(25°C): 4A (Ta) FET通道极性: N-Channel 技术: GaNFET (Gallium Nitride) 漏源电压（Vdss）: 65 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 5V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 130mΩ @ 500mA, 5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 0.45 nC @ 5 V 输入电容(Max)@Vds: 52 pF @ 32.5 V FET 功能: Standard 功率耗散(Max): 1.3W (Ta) 工作温度范围: -40℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: eGaN®
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