在线客服
原厂交期: 10W
类别: FET,MOSFET - 单
描述: 封装: Die 栅源极电压Vgs(Max): +6V, -4V 连续漏极电流ID(25°C): 4A (Ta) FET通道极性: N-Channel 技术: GaNFET (Gallium Nitride) 漏源电压(Vdss): 65 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 5V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 130mΩ @ 500mA, 5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 0.45 nC @ 5 V 输入电容(Max)@Vds: 52 pF @ 32.5 V FET 功能: Standard 功率耗散(Max): 1.3W (Ta) 工作温度范围: -40℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: eGaN®
型号 | 品牌 | 封装 | 描述 | 封装/描述 | 货期 | 库存 | 批次 | 包装 | 库存/包装/批次 | 价格(含税) | 合计(含税) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
国产 | 非PIN TO PIN | 相似度76%
对比
| DFN5060 | - | DFN5060 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - | 1+ ¥12.68925 | ¥12.68925 | ||
国产 | 非PIN TO PIN | 相似度76%
对比
| TO220 | - | TO220 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
-
| | ||
国产 | 非PIN TO PIN | 相似度76%
对比
| SOT-23-6L | - | SOT-23-6L - | - | 0 pcs | - | 编带 | 0 pcs 编带 - |
-
| | ||
国产 | 非PIN TO PIN | 相似度76%
对比
| SO08 | - | SO08 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
-
| | ||
国产 | 非PIN TO PIN | 相似度76%
对比
| TO251 | - | TO251 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
-
| | ||
国产 | 非PIN TO PIN | 相似度76%
对比
| TO252 | - | TO252 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
-
| | ||
国产 | 非PIN TO PIN | 相似度76%
对比
| TO262 | - | TO262 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
-
| | ||
国产 | 非PIN TO PIN | 相似度76%
对比
| TO251 | - | TO251 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
-
| | ||
国产 | 非PIN TO PIN | 相似度76%
对比
| TO220F | - | TO220F - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
-
| | ||
国产 | 非PIN TO PIN | 相似度76%
对比
| TO251 | - | TO251 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
-
| |