FDB024N08BL7

品牌： onsemi(安森美)

型号： FDB024N08BL7

封装： TO-263-7

量产： 量产中

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: TO263-7 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 120A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 80 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 2.4mΩ @ 100A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 178 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 13530 pF @ 40 V 功率耗散(Max): 246W (Tc) 工作温度范围: -55℃~175℃ 安装类型: Surface Mount 系列: PowerTrench®