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FDMS86200

品牌: onsemi(安森美)

型号: FDMS86200

封装: QFN8

量产: 量产中

数据手册

原厂交期: -

类别: FET,MOSFET - 单

描述: 封装: Power 56 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 9.6A (Ta), 35A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 150V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 18mΩ @ 9.6A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 46 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 2715 pF @ 75 V FET 功能: Standard 功率耗散(Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: PowerTrench®

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