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原厂交期： 11W
类别： FET，MOSFET - 阵列
描述： 封装: SOIC8 安装类型: Surface Mount 漏源电压（Vdss）: 30V 连续漏极电流ID(25°C): 6.3A, 8.6A FET 功能: Logic Level Gate 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 28mΩ @ 6.3A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 3V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 15nC @ 10V 输入电容(Max)@Vds: 610pF @ 10V 功率(Max): 900mW 工作温度范围: -55℃~150℃ FET通道极性: 2 N-Channel (Dual)
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