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原厂交期： -
类别： IGBT，MOSFET - 单
描述： 封装: TO3P 安装类型: Through Hole 集射极击穿电压(Max): 330 V IGBT 类型: Trench 集电极电流Ic(Max): 90 A 集电极脉冲电流(Icm): 330 A 集射极导通电压: 1.4V @ 15V, 20A 功率(Max): 223 W 开关能量: 650µJ (off) 输入类型: Standard 栅极电荷@Vgs: 95 nC 测试条件: 400V, 20A, 10Ω, 15V 反向恢复时间（trr）: 23 ns 工作温度范围: -55℃~150℃ 系列: HB2
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