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FQA28N50

品牌： onsemi(安森美)

型号： FQA28N50

封装： TO-3P

量产： 量产中

数据手册

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: TO-3P 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 28.4A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 500V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 160mΩ @ 14.2A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 140 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 5.6 pF @ 25 V FET 功能: Standard 功率耗散(Max): 310W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: QFET®

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型号 品牌 封装 描述 封装/描述 货期 库存 批次 包装 库存/包装/批次 价格（含税） 合计（含税）
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Truesemi Co ., Ltd.(深圳市信安半导体有限公司)

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Truesemi Co ., Ltd.(深圳市信安半导体有限公司)

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CR Micro(华润微)

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CR Micro(华润微)

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Semipower Electronic Technology Co.,Ltd.(芯派)

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Truesemi Co ., Ltd.(深圳市信安半导体有限公司)

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Truesemi Co ., Ltd.(深圳市信安半导体有限公司)

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GOODARK(好方舟电子)

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