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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: IPAK(TO-251) 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 17.2A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 60 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 60mΩ @ 8.6A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 13 nC @ 5 V 输入电容(Max)@Vds: 630 pF @ 25 V 功率耗散(Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: QFET®
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