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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: DFN3x3-8L 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 12A (Tc) FET通道极性: P-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 30V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 20mΩ @ 6A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 24.5nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 1.253nF@15V FET 功能: Schottky Diode (Body) 功率耗散(Max): 3W (Tc) 工作温度范围: -55℃~+150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: HEXFET®
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