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首页 > FET，MOSFET - 单 > G33N03D3

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G33N03D3

品牌： Goford(谷峰电子)

型号： G33N03D3

封装： DFN3.3x3.3-8L

量产：量产中

数据手册

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述：封装: DFN3.3x3.3-8L FET通道极性: 2 N-Channel (Dual) 漏源电压（Vdss）: 30V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 12mΩ @ 18A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 1.1V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 17.5nC @ 10V 输入电容(Max)@Vds: 1938pF @ 15V FET 功能: Standard 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount

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封装	DFN3.3x3.3-8L	栅源极电压Vgs(Max)	-	FET通道极性	2 N-Channel (Dual)
技术	-	漏源电压（Vdss）	30V	驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On)	-
漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs	12mΩ @ 18A, 10V	栅源极阈值电压(Max)@Id	1.1V @ 250µA	栅极电荷@Vgs	17.5nC @ 10V
输入电容(Max)@Vds	1938pF @ 15V	FET 功能	Standard	功率耗散(Max)	-
工作温度范围	-55℃~150℃	安装类型	Surface Mount	系列	-
导通电阻@(Rdson)@4.5V	-	导通电阻@(Rdson)@2.5V	-	导通电阻@(Rdson)@1.8V	-
导通电阻@(Rdson)@10V	-

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