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原厂交期： 20W
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: TO263-7 栅源极电压Vgs(Max): ±15V 连续漏极电流ID(25°C): 9A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: SiCFET (Silicon Carbide) 漏源电压（Vdss）: 1700 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 15V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 585mΩ @ 4A, 15V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.7V @ 2mA 栅极电荷@Vgs: 18 nC @ 15 V 输入电容(Max)@Vds: 454 pF @ 1000 V FET 功能: Depletion Mode 功率耗散(Max): 91W (Tc) 工作温度范围: -55℃~175℃ 安装类型: Surface Mount 系列: G3R™
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