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原厂交期: -
类别: FET,MOSFET - 单
描述: 封装: TO-252 栅源极电压Vgs(Max): ±20V FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET 漏源电压(Vdss): 30V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 61mΩ @ -2.5A,-1.8V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V@250uA 栅极电荷@Vgs: 14.5nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 990.0pF @ -20.0V 功率耗散(Max): 30W 工作温度范围: 150℃
型号 | 品牌 | 封装 | 描述 | 封装/描述 | 货期 | 库存 | 批次 | 包装 | 库存/包装/批次 | 价格(含税) | 合计(含税) | |
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国产 | 非PIN TO PIN |
对比
| TO252 | - | TO252 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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国产 | 非PIN TO PIN |
对比
| TO252 | - | TO252 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - | 1+ ¥0.9429 | ¥0.9429 | ||
国产 | 非PIN TO PIN |
对比
| TO252 | - | TO252 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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