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原厂交期： -
类别： IGBT，MOSFET - 单
描述： 封装: TO-3P(LH) 安装类型: Through Hole 集射极击穿电压(Max): 600 V IGBT 类型: NPT and Trench 集电极电流Ic(Max): 50 A 集电极脉冲电流(Icm): 100 A 集射极导通电压: 2.45V @ 15V, 50A 功率(Max): 240 W 开关能量: 1.3mJ (on), 1.34mJ (off) 输入类型: Standard 栅极电荷@Vgs: 257 nC 测试条件: 300V, 50A, 13Ω, 15V 反向恢复时间（trr）: 2.5 µs 工作温度范围: 150℃ 系列: GenX3™
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