元器件分类 
易采购
替代Bom
AI大数据平台
供应商入驻
成品拆解
行业快报
在线客服
图片仅供参考，请查阅数据手册
原厂交期： -
类别： IGBT，MOSFET - 单
描述： 封装: TO-3P(LH) 安装类型: Through Hole 集射极击穿电压(Max): 1000 V IGBT 类型: NPT and Trench 集电极电流Ic(Max): 60 A 集电极脉冲电流(Icm): 120 A 集射极导通电压: 2.8V @ 15V, 60A 功率(Max): 170 W 开关能量: 1.16mJ (on), 470µJ (off) 输入类型: Standard 栅极电荷@Vgs: 257 nC 测试条件: 300V, 10A, 100Ω, 15V 反向恢复时间（trr）: 2.5 µs 工作温度范围: 150℃ 系列: GenX3™
更多供应商
替代型号(0个)
详细参数(100%)
| 供应商名称 | 联系方式 | 货期 | 库存 | 批次 | 价格（含税） | 数量&价格(含税) | 操作 |
自营  | 电话：0755-82781085 邮箱：juwei.hu@infinitech.cn | - | - | - |
-
| |
