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HGTP10N50E1D

品牌： L3Harris Technologies Inc.(L3Harris)

型号： HGTP10N50E1D

封装： TO-220

量产： 量产中

原厂交期： -

类别： IGBT，MOSFET - 单

描述： 封装: TO-220 安装类型: Through Hole 集射极击穿电压(Max): 500 V 集电极电流Ic(Max): 17.5 A 集射极导通电压: 3.2V @ 20V, 17.5A 功率(Max): 75 W 输入类型: Standard 栅极电荷@Vgs: 19 nC 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)

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供应商名称 联系方式 货期 库存 批次 价格（含税） 数量&价格(含税) 操作
自营

电话：0755-82781085

邮箱：juwei.hu@infinitech.cn

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