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原厂交期： 8W
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: CDIP8 栅源极电压Vgs(Max): 10V FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 55 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 5V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 400mΩ @ 100mA, 5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.4V @ 100µA 栅极电荷@Vgs: 4.3 nC @ 5 V 输入电容(Max)@Vds: 290 pF @ 28 V FET 功能: Super Junction 功率耗散(Max): 50W (Tj) 工作温度范围: -55℃~225℃ 安装类型: Through Hole 系列: HTMOS™
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