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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: TO3PM3S 栅源极电压Vgs(Max): ±20V FET通道极性: P Channel 技术: MOSFET 漏源电压（Vdss）: -30.0V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 23mΩ @ 8A,4.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V@250uA 栅极电荷@Vgs: 14.5nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 370pF 功率耗散(Max): 30W 工作温度范围: -55℃~150℃
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