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HY4008PM

品牌: HUAYI(华羿微电子)

型号: HY4008PM

封装: TO3PM3S

量产: 量产中

数据手册

原厂交期: -

类别: FET,MOSFET - 单

描述: 封装: TO3PM3S 栅源极电压Vgs(Max): 20V FET通道极性: N通道 技术: MOSFET 漏源电压(Vdss): 30V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 460mΩ @ 0.35A,1.8V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V@250uA 栅极电荷@Vgs: 14.5nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 804pF 功率耗散(Max): 30W 工作温度范围: 150℃

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电话:0755-82781085

邮箱:juwei.hu@infinitech.cn

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品牌
全部 Rui Jun(锐骏半导体)
国别/地区
全部 中国
综合排序 价格
型号 品牌 封装 描述 封装/描述 货期 库存 批次 包装 库存/包装/批次 价格(含税) 合计(含税)
RU70190R
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RU70190R

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Rui Jun(锐骏半导体)

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Rui Jun(锐骏半导体)

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