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IPB123N10N3G

品牌: INFINEON(英飞凌)

型号: IPB123N10N3G

封装: TO-263

量产: 量产中

数据手册

原厂交期: -

类别: FET,MOSFET - 单

描述: 封装: TO263-3 技术: Si 漏源电压(Vdss): 100 V 功率耗散(Max): 94 W 工作温度范围: - 55 ℃~ + 175 ℃ 系列: OptiMOS 3

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邮箱:juwei.hu@infinitech.cn

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