IPD65R650CEATMA1

品牌： INFINEON(英飞凌)

型号： IPD65R650CEATMA1

封装： PG-TO252-3

量产： 停产

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: PG-TO252-3 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 10.1A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 650 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 650mΩ @ 2.1A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 3.5V @ 0.21mA 栅极电荷@Vgs: 23 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 440 pF @ 100 V FET 功能: Super Junction 功率耗散(Max): 86W (Tc) 工作温度范围: -40℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: CoolMOS™