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IRF350

品牌： NTE Electronics Inc.(NTE Electronics)

型号： IRF350

封装： TO3

量产： 量产中

数据手册

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: TO3 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 14A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 400 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 400mΩ @ 14A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 110 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 2600 pF @ 25 V FET 功能: Standard 功率耗散(Max): 150W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: *

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供应商名称 联系方式 货期 库存 批次 价格（含税） 数量&价格(含税) 操作
自营

电话：0755-82781085

邮箱：juwei.hu@infinitech.cn

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品牌：
全部 MICROCHIP(微芯) INFINEON(英飞凌) onsemi(安森美) Microsemi(美高森美) IXYS(艾赛斯) AOS(万代) VISHAY(威世) Efficient Power Conversion Corporation.(EPC) L3Harris Technologies Inc.(L3Harris) NTE Electronics Inc.(NTE Electronics) CR Micro(华润微) KEXIN(科信) Meled(美莱) BlueRocket(蓝箭) NCE(新洁能) CYStech Electronics Corp.(全宇昕科技股份有限公司) ROHM(罗姆) RENESAS(瑞萨) Truesemi Co ., Ltd.(深圳市信安半导体有限公司) Me-tech(美台高科) Fairchild(仙童)
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国别/地区：
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综合排序： 价格
型号 品牌 封装 描述 封装/描述 货期 库存 批次 包装 库存/包装/批次 价格（含税） 合计（含税）
CS10N40A8R
CS10N40A8R
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CR Micro(华润微)

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KEXIN(科信)

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Truesemi Co ., Ltd.(深圳市信安半导体有限公司)

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CR Micro(华润微)

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CR Micro(华润微)

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CR Micro(华润微)

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Me-tech(美台高科)

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国产 | 非PIN TO PIN | 相似度76%

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CR Micro(华润微)

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Meled(美莱)

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