IRF7807Z

品牌： INFINEON(英飞凌)

型号： IRF7807Z

封装： SO8

量产： 停产

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: SO8 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 11A (Ta) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 30 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 13.8mΩ @ 11A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.25V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 11 nC @ 4.5 V 输入电容(Max)@Vds: 770 pF @ 15 V 功率耗散(Max): 2.5W (Ta) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: HEXFET®