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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 阵列
描述： 封装: SO8 安装类型: Surface Mount 漏源电压（Vdss）: 30V 连续漏极电流ID(25°C): 3.5A, 2.3A FET 功能: Logic Level Gate 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 100mΩ @ 2.2A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 1V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 14nC @ 10V 输入电容(Max)@Vds: 190pF @ 15V 功率(Max): 2W 工作温度范围: -55℃~150℃ FET通道极性: N and P-Channel
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 描述 | 封装/描述 | 货期 | 库存 | 批次 | 包装 | 库存/包装/批次 | 价格（含税） | 合计（含税） | |
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