IRFD120PBF

品牌： Vishay/Siliconix(Vishay/Siliconix)

型号： IRFD120PBF

封装： HVMDIP-4

量产： 量产中

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: HVMDIP-4 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 1.3A (Ta) FET通道极性: N-Channel 技术: Si 漏源电压（Vdss）: 100 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 16 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 360 pF @ 25 V 功率耗散(Max): 1.3W (Ta) 工作温度范围: -55℃~175℃ 安装类型: ThroughHole 系列: IRFD