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原厂交期: -
类别: FET,MOSFET - 单
描述: 封装: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 13A (Ta), 43A (Tc) FET通道极性: N-Channel 漏源电压(Vdss): 30 V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.35V @ 25µA 栅极电荷@Vgs: 15 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 1180 pF @ 10 V 功率耗散(Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc) 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 系列: HEXFET®
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