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IRFHM8342TRPBF-IR

品牌： IR(国际整流器)

型号： IRFHM8342TRPBF-IR

封装： PQFN8-Dual(3.3*3.3), Power33

量产： 量产中

数据手册

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: PQFN8-Dual(3.3*3.3), Power33 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 10A (Ta), 28A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 30 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 16mΩ @ 17A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.35V @ 25µA 栅极电荷@Vgs: 10 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 560 pF @ 25 V FET 功能: Schottky Diode (Body) 功率耗散(Max): 2.6W (Ta), 20W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: HEXFET®

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