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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: TO-252AA 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 2.6A (Tc) FET通道极性: N-Channel 漏源电压（Vdss）: 200 V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 8.2 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 140 pF @ 25 V 功率耗散(Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount
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