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类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: WFBGA9 栅源极电压Vgs(Max): ±12V 连续漏极电流ID(25°C): 3.1A (Tc) FET通道极性: P-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 20 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 55mΩ @ 4.6A, 4.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 1.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 9 nC @ 4.5 V 输入电容(Max)@Vds: 742 pF @ 10 V FET 功能: Schottky Diode (Isolated) 功率耗散(Max): 1.7W (Ta) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: *
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