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原厂交期： -
类别： IGBT，MOSFET - 单
描述： 封装: PG-TO263-3-2 安装类型: Surface Mount 集射极击穿电压(Max): 600 V 集电极电流Ic(Max): 47 A 集电极脉冲电流(Icm): 54 A 集射极导通电压: 1.95V @ 15V, 18A 功率(Max): 206 W 开关能量: 95µJ (on), 350µJ (off) 输入类型: Standard 栅极电荷@Vgs: 35 nC 25°C 时 Td（开/关）值: 40ns/105ns 测试条件: 400V, 18A, 22Ohm, 15V 反向恢复时间（trr）: 100 ns 工作温度范围: -40°C ~ 175°C (TJ)
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