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原厂交期: -
类别: FET,MOSFET - 单
描述: 封装: Die 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 2.8A FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 55 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 140mΩ @ 2.8A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.3V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 100 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 8320 pF @ 20 V FET 功能: Standard 功率耗散(Max): 7.3W (Ta), 208W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: HEXFET®
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