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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: D2PAK 栅源极电压Vgs(Max): ±16V 连续漏极电流ID(25°C): 180A (Tc) FET通道极性: N-Channel 漏源电压（Vdss）: 100 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 130 nC @ 4.5 V 输入电容(Max)@Vds: 11.36 pF @ 50 V 功率耗散(Max): 370W (Tc) 工作温度范围: -55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 系列: HEXFET®
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