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IXFH36N60P

品牌： IXYS(艾赛斯)

型号： IXFH36N60P

封装： TO-247AD (IXFH)

量产： 量产中

数据手册

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: TO-247AD (IXFH) 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 36A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 600 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 190mΩ @ 18A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 5V @ 4mA 栅极电荷@Vgs: 102 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 5800 pF @ 25 V 功率耗散(Max): 650W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: HiPerFET™, Polar

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河北安智浦电子科技有限公司

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型号 品牌 封装 描述 封装/描述 货期 库存 批次 包装 库存/包装/批次 价格（含税） 合计（含税）
TSM60NB099PW C1G
TSM60NB099PW C1G
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TSM60NB099PW C1G

TSM60NB099PW C1G

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TSC(台半)

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TSM60NB041PW C1G
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TSM60NB041PW C1G

TSM60NB041PW C1G

国产 | 非PIN TO PIN | 相似度88%

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TSC(台半)

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TK31N60W,S1VF
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TK31N60W,S1VF

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KIOXIA(铠侠)

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SIHG47N60AEL-GE3
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SIHG47N60AEL-GE3

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VISHAY(威世)

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onsemi(安森美)

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IXFH60N60X3
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IXFH60N60X3

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IXYS(艾赛斯)

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SIHG22N60E-E3
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SIHG22N60E-E3

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VISHAY(威世)

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APT38N60BC6
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APT38N60BC6

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Microsemi(美高森美)

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STW70N60DM6
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STW70N60DM6

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ST(意法半导体)

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