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IXFH44N50P

品牌： IXYS(艾赛斯)

型号： IXFH44N50P

封装： TO-247-3

量产： 量产中

数据手册

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: TO-247-3 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 44A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 500 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 140mΩ @ 22A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 5V @ 4mA 栅极电荷@Vgs: 98 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 5440 pF @ 25 V 功率耗散(Max): 658W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: HiPerFET™, Polar

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电话：0755-82781085

邮箱：juwei.hu@infinitech.cn

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1+ ￥82.19172
品牌：
全部 MICROCHIP(微芯) ST(意法半导体) INFINEON(英飞凌) onsemi(安森美) Microsemi(美高森美) IXYS(艾赛斯) AOS(万代) VISHAY(威世)
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国别/地区：
全部 美国 德国 瑞士
综合排序： 价格
型号 品牌 封装 描述 封装/描述 货期 库存 批次 包装 库存/包装/批次 价格（含税） 合计（含税）
FDH50N50
FDH50N50
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FDH50N50

FDH50N50

非PIN TO PIN | 相似度88%

对比

onsemi(安森美)

TO247-3
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TO247-3

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1+
￥74.2
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IXTH450P2
IXTH450P2
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IXTH450P2

IXTH450P2

非PIN TO PIN | 相似度88%

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IXYS(艾赛斯)

TO247(IXTH)
-

TO247(IXTH)

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1+
￥44.26817
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￥44.26817
STY105NM50N
STY105NM50N
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STY105NM50N

STY105NM50N

非PIN TO PIN | 相似度88%

对比

ST(意法半导体)

MAX247™
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MAX247™

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1+
￥187.3827
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IXFH44N50Q3
IXFH44N50Q3
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IXFH44N50Q3

IXFH44N50Q3

非PIN TO PIN | 相似度99%

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IXYS(艾赛斯)

TO-247AD (IXFH)
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TO-247AD (IXFH)

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￥147.51251
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￥147.51251
APT5010JVRU2
APT5010JVRU2
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APT5010JVRU2

APT5010JVRU2

非PIN TO PIN | 相似度88%

对比

Microsemi(美高森美)

SOT227
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SOT227

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IXTX60N50L2
IXTX60N50L2
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IXTX60N50L2

IXTX60N50L2

非PIN TO PIN | 相似度88%

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IXYS(艾赛斯)

PLUS247™-3
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PLUS247™-3

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￥266.7626
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SIHG14N50D-GE3
SIHG14N50D-GE3
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SIHG14N50D-GE3

SIHG14N50D-GE3

非PIN TO PIN | 相似度88%

对比

VISHAY(威世)

TO-247AC
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TO-247AC

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IXTH44N25L2
IXTH44N25L2
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IXTH44N25L2

IXTH44N25L2

非PIN TO PIN | 相似度88%

对比

IXYS(艾赛斯)

TO247(IXTH)
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TO247(IXTH)

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30+
￥205.85421
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￥205.85421
APT50M75B2LLG
APT50M75B2LLG
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APT50M75B2LLG

APT50M75B2LLG

非PIN TO PIN | 相似度88%

对比

MICROCHIP(微芯)

T-MAX™ [B2]
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T-MAX™ [B2]

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0 pcs

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1+
￥156.38
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￥156.38
SIHG460B-GE3
SIHG460B-GE3
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SIHG460B-GE3

SIHG460B-GE3

非PIN TO PIN | 相似度88%

对比

VISHAY(威世)

TO-247AC
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TO-247AC

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