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IXFH60N50P3

品牌: IXYS(艾赛斯)

型号: IXFH60N50P3

封装: TO-247AD (IXFH)

量产: 量产中

数据手册

原厂交期: 39W

类别: FET,MOSFET - 单

描述: 封装: TO-247AD (IXFH) 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 60A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 500 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 100mΩ @ 30A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 5V @ 4mA 栅极电荷@Vgs: 96 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 6250 pF @ 25 V 功率耗散(Max): 1040W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: HiPerFET™, Polar3™

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FDH50N50
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FDH50N50

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onsemi(安森美)

TO247-3

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IXTH450P2
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IXTH450P2

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IXYS(艾赛斯)

TO247(IXTH)

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STY105NM50N
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STY105NM50N

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IXFH60N60X3
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IXFH60N60X3

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IXYS(艾赛斯)

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IXTX60N50L2
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IXTX60N50L2

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IXYS(艾赛斯)

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ST(意法半导体)

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SIHG14N50D-GE3
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VISHAY(威世)

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APT50M75B2LLG
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MICROCHIP(微芯)

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SIHG460B-GE3
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SIHG460B-GE3

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VISHAY(威世)

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AOK22N50L
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AOK22N50L

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AOS(万代)

TO247

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