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IXFH69N30P

品牌: IXYS(艾赛斯)

型号: IXFH69N30P

封装: TO-247AD (IXFH)

量产: 量产中

数据手册

原厂交期: 26W

类别: FET,MOSFET - 单

描述: 封装: TO-247AD (IXFH) 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 69A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 300 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 49mΩ @ 500mA, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 5V @ 4mA 栅极电荷@Vgs: 180 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 4960 pF @ 25 V FET 功能: Standard 功率耗散(Max): 500W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: HiPerFET™, Polar

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ME06N30-G
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ME06N30-G

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Force-MOS Technology Co.,Ltd(力士科技股份有限公司)

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UnitedSiC(UnitedSiC)

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CREE(科锐)

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IXYS(艾赛斯)

TO-247AD (IXFH)

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IXYS(艾赛斯)

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APT30M85BVFRG

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IXFH35N30Q
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IXFH35N30Q

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IXYS(艾赛斯)

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STW35N65DM2
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ST(意法半导体)

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