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IXFK150N30P3

品牌: IXYS(艾赛斯)

型号: IXFK150N30P3

封装: TO-264AA (IXFK)

量产: 量产中

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原厂交期: -

类别: FET,MOSFET - 单

描述: 封装: TO-264AA (IXFK) 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 150A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 300 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 19mΩ @ 75A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 5V @ 8mA 栅极电荷@Vgs: 197 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 12100 pF @ 25 V FET 功能: Super Junction 功率耗散(Max): 1300W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: HiPerFET™, Polar3™

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HGB028N04A
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HGB028N04A

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CR Micro(华润微)

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Force-MOS Technology Co.,Ltd(力士科技股份有限公司)

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YANGJIE(扬杰科技)

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LCEP01T13D

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Leiditech(雷卯)

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NCE(新洁能)

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MCAC150N03A-TP
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MCAC150N03A-TP

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MCC(美微科)

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CRST052N15N3

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CR Micro(华润微)

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Force-MOS Technology Co.,Ltd(力士科技股份有限公司)

DPAK

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CRSS049N15N3
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CRSS049N15N3

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国产 | 非PIN TO PIN | 相似度76%

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CR Micro(华润微)

TO263

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