IXTA3N60P

品牌： IXYS(艾赛斯)

型号： IXTA3N60P

封装： TO-263AA

量产： 停产

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: TO-263AA 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 3A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 600 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 2.9Ω @ 500mA, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 5.5V @ 50µA 栅极电荷@Vgs: 9.8 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 411 pF @ 25 V FET 功能: Schottky Diode (Isolated) 功率耗散(Max): 70W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: PolarHV™