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IXTA3N60P

品牌: IXYS(艾赛斯)

型号: IXTA3N60P

封装: TO-263AA

量产: 停产

数据手册

原厂交期: -

类别: FET,MOSFET - 单

描述: 封装: TO-263AA 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 3A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 600 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 2.9Ω @ 500mA, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 5.5V @ 50µA 栅极电荷@Vgs: 9.8 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 411 pF @ 25 V FET 功能: Schottky Diode (Isolated) 功率耗散(Max): 70W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: PolarHV™

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DMG4N60SJ3
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DMG4N60SJ3

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Me-tech(美台高科)

TO251

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TSM60NB1R4CP ROG
TSM60NB1R4CP ROG
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TSM60NB1R4CP ROG

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国产 | 非PIN TO PIN | 相似度88%

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TSC(台半)

TO252(DPAK)

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TSM60NB1R4CH C5G
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TSM60NB1R4CH C5G

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国产 | 非PIN TO PIN | 相似度88%

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TSC(台半)

TO-251(I-PAK)

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管装

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R6003KND3TL1
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R6003KND3TL1

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ROHM(罗姆)

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FQP3N60C
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FQP3N60C

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onsemi(安森美)

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IXTA3N100D2HV
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IXTA3N100D2HV

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IXYS(艾赛斯)

TO-263HV

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IRFBC40SPBF
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IRFBC40SPBF

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VISHAY(威世)

D2PAK(TO-263)

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IXTA3N150HV
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IXTA3N150HV

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IXYS(艾赛斯)

TO-263AA

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SIHB12N60E-GE3
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SIHB12N60E-GE3

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非PIN TO PIN | 相似度88%

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VISHAY(威世)

D2PAK(TO-263)

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IRFBC30S
IRFBC30S
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IRFBC30S

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非PIN TO PIN | 相似度88%

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VISHAY(威世)

D2PAK(TO-263)

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