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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: TO247(IXTH) 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 75A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 100 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 21mΩ @ 500mA, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 215 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 8100 pF @ 25 V FET 功能: Schottky Diode (Body) 功率耗散(Max): 400W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: Linear L2™
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| 供应商名称 | 联系方式 | 货期 | 库存 | 批次 | 价格（含税） | 数量&价格(含税) | 操作 |
自营  | 电话：0755-82781085 邮箱：juwei.hu@infinitech.cn | - | - | - | 1+ ￥117.23135 | |
