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IXTQ22N60P

品牌： IXYS(艾赛斯)

型号： IXTQ22N60P

封装： TO3P

量产： 量产中

数据手册

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: TO3P 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 22A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 600 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 350mΩ @ 11A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 5.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 62 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 3600 pF @ 25 V FET 功能: Logic Level Gate, 4V Drive 功率耗散(Max): 400W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: Polar

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国别/地区：
全部 日本 美国 德国 瑞士
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型号 品牌 封装 描述 封装/描述 货期 库存 批次 包装 库存/包装/批次 价格（含税） 合计（含税）
IXTQ30N60L2
IXTQ30N60L2
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IXTQ30N60L2

IXTQ30N60L2

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IXYS(艾赛斯)

TO3P
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￥134.31857
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FCP22N60N
FCP22N60N
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FCP22N60N

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onsemi(安森美)

TO220-3
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￥34.03026
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￥34.03026
IXTQ22N50P
IXTQ22N50P
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IXTQ22N50P

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IXYS(艾赛斯)

TO3P
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SIHW47N60E-GE3
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SIHW47N60E-GE3

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VISHAY(威世)

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FCA47N60F_SN00171
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IXFA22N60P3
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IXFA22N60P3

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IXYS(艾赛斯)

TO263(IXFA)
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￥28.01656
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FQA12N60
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FQA12N60

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onsemi(安森美)

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IXFV22N60P
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IXFV22N60P

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IXYS(艾赛斯)

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IXFV22N60PS
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IXFV22N60PS

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IXYS(艾赛斯)

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FCA35N60
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FCA35N60

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onsemi(安森美)

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￥24.23
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￥24.23

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