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原厂交期： 41W
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: TO3P 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 50A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 200 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 60mΩ @ 50A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 70 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 2720 pF @ 25 V FET 功能: Logic Level Gate, 4V Drive 功率耗散(Max): 360W (Tc) 工作温度范围: -55℃~175℃ 安装类型: Through Hole 系列: Polar
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自营  | 电话：0755-82781085 邮箱：juwei.hu@infinitech.cn | - | - | - | 1+ ￥38.50033 | |
