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IXTY01N100

品牌: IXYS(艾赛斯)

型号: IXTY01N100

封装: TO-252-2(DPAK)

量产: 不推荐

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原厂交期: -

类别: FET,MOSFET - 单

描述: 封装: TO-252-2(DPAK) 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 100mA (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 1kV 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 80Ω @ 100mA, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4.5V @ 25µA 栅极电荷@Vgs: 6.9 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 54 pF @ 25 V FET 功能: Super Junction 功率耗散(Max): 25W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: CoolMOS™

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TSM2N100CP ROG

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Fairchild(仙童)

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IXYS(艾赛斯)

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VISHAY(威世)

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