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原厂交期: -
类别: FET,MOSFET - 单
描述: 封装: TO220AB 栅源极电压Vgs(Max): ±12.0V FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET 漏源电压(Vdss): 200V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 1300mΩ @ -0.25A,-1.8V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V@250uA 栅极电荷@Vgs: 14.5nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 5.0pF @ -20.0V 功率耗散(Max): 30W 工作温度范围: -55℃~150℃
供应商名称 | 联系方式 | 货期 | 库存 | 批次 | 价格(含税) | 数量&价格(含税) | 操作 |
联营 | 电话:- 邮箱:- | 3-5天 | 2700 | - | 1+ ¥0.1617 100+ ¥0.15741 3000+ ¥0.15422 | ¥0.1617 | |
联营 | 电话:- 邮箱:- | 3-5天 | 2315 | - | 5+ ¥0.44 50+ ¥0.33 150+ ¥0.308 500+ ¥0.253 3000+ ¥0.231 6000+ ¥0.209 | ¥2.2 |