LMV331G-AE5-R

品牌： UTC(友顺)

型号： LMV331G-AE5-R

封装： -

量产： 量产中

原厂交期： -

类别： -

描述： IF (A): -3db 带宽: -3db带宽: : 25℃ 时 Td（开/关）值: 25℃时Td（开/关）值: 3d B带宽: 3dB带宽: AECQ1X 认证: BVDSS(V): C-M R R - Commonmoderejectiefactor: CMRR - 共模抑制比: CMRR-共模抑制比: CMRR，PSRR（典型值）: Case Style: Cd - 二极管电容: Ciss-输入电容: Cj max: Cj(pF): Cm R R -共模抑制比: Collector Current IC (A): Collector to Emitter Voltage VCEO (V): Collector-Base Breakdown Voltage BVCBO (V): Collector-Emitter Breakdown Voltage BVCEO(V): Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) (V): Configuration: Crss-反向传输电容: DC Current Gain hFE: Diac / Sidac 封装类型: DraintoSourceVoltage(Vdss): EDA/CAD模型: Emitter-Base Breakdown Voltage BVEBO(V): FET 型: FET 特点: FET功能: FET型: FET特点: FET类型: GBP-增益带宽: GBP-增益带宽产品: GaNIV/V: ID -连续漏极电流: ID(A): IDSS(max): IF: IF(A): IF(AV)-最大平均整流电流: IF(AV) (A): IFSM: IFSM (A): IFSM- 最大浪涌电流: IFSM (A): IGBT 类型: IGBT类型: IPM 外壳类型: IPM 电源装置: IPM系列: IR (μA)TA=25℃: IR 测试电压: IR-最大反向电流: IR (uA) @ VR: IR (μA): Ib - 输入偏流: Ib-输入偏流: Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）: Id 时的 Vgs(th)（最大）: Id-连续漏极电流: If - 正向电流: Ifsm - 正向浪涌电流: Ingangsinstelstroom: In—输入噪声电流密度: Ios - 输入偏置电流: Ir - 反向电流: I积分非线性: MSL: NoneMax: Maximum IDSS（UA）: Maximum Power Dissipation（MW）: NF—噪声系数: NTC 热敏电阻: Number of circuits: P1dB - 压缩点: PCB改变: PCN其它: PCN封装: PCN组件/产地: PD (mW): PSRR - 电源抑制比: PSRR-电源抑制比: Package: PackagingOptionsScrubbed: Pd-功率耗散: -Qg(nC): Qg-栅极电荷: Q因子@ Vr，F时: R-S－ON: RDS(ON)Ω: RDS@VGS=1V(mΩ): RDS@VGS=2: RDS@VGS=4: RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: RF 类型: RF型: Rds On-漏源导通电阻: RoHS: RoHS邻苯二甲酸酯合规: S R摆率: SCR 数，二极管: SCR 类型: SCR类型: SNR – 信噪比: SR-转换速率: THD - 总谐波失真: TJ: TVS晶闸管封装类型: Td（开/关）@ 25℃: Transition frequency fT (MHz): Trr: V(BR)GSS: VDC (V): VDRM-断态重复峰值电压: VDS(V): VDSS: VF (V): VF 测试电流: VF-正向导通电压: VF (V): VF (V) @ IF: VGS(V): VGS(th)(V)max: VGS(th)(V)min: VGS(th)(V)typ: VGS(th)-栅源开启电压: VGSS-栅源电压: VGS（TH）（最大）@标识: VGS（off）-栅源关断电压