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LND150N8-G

品牌: MICROCHIP(微芯)

型号: LND150N8-G

封装: SOT89-3

量产: 量产中

数据手册

原厂交期: 42W

类别: FET,MOSFET - 单

描述: 封装: SOT89-3 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 30mA (Tj) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 500 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 0V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 1000Ω @ 500µA, 0V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 25 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 10 pF @ 25 V FET 功能: Depletion Mode 功率耗散(Max): 1.6W (Ta) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: PowerTrench®

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