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原厂交期： -
类别： 射频双极晶体管(RF BJT)
描述： 封装: SOIC8_EP 截止频率: 1GHz 增益: 11.6dB 集射极击穿电压(Max): 15V 噪声系数(Typ)@Freq(dB): 3.3dB @ 836MHz 功率(Max): 6.4W 直流电流增益(Min): 100 @ 250mA, 3V 集电极电流Ic(Max): 1.2A 工作温度范围: 150℃ 安装类型: Surface Mount 晶体管类型: NPN 系列: *
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