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ME60N04T

品牌： Force-MOS Technology Co.,Ltd(力士科技股份有限公司)

型号： ME60N04T

封装： TO220

量产： 量产中

数据手册

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: TO220 栅源极电压Vgs(Max): ±30.0V FET通道极性: N Channel 技术: MOSFET 漏源电压（Vdss）: 40.0V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 235mΩ @ 1.0A,2.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V@250uA 栅极电荷@Vgs: 14.5nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 1969.0pF @ 900.0V 功率耗散(Max): 30W 工作温度范围: -55℃~150℃

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品牌：
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国别/地区：
全部 中国 中国台湾 日本 美国 德国 瑞士
综合排序： 价格
型号 品牌 封装 描述 封装/描述 货期 库存 批次 包装 库存/包装/批次 价格（含税） 合计（含税）
TQM150NB04CR
TQM150NB04CR
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TQM150NB04CR

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国产 | 非PIN TO PIN | 相似度76%

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TSC(台半)

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CR Micro(华润微)

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NCE40H20

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NCE(新洁能)

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Semipower Electronic Technology Co.,Ltd.(芯派)

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GOODARK(好方舟电子)

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TSC(台半)

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BlueRocket(蓝箭)

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TSC(台半)

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KEXIN(科信)

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Force-MOS Technology Co.,Ltd(力士科技股份有限公司)

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