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首页 > 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > MMUN2214LT1G
图片仅供参考，请查阅数据手册

MMUN2214LT1G

品牌： onsemi(安森美)

型号： MMUN2214LT1G

封装： SOT-23-3 (TO-236)

量产： 量产中

数据手册

原厂交期： -

类别： 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置

描述： 封装: SOT-23-3 (TO-236) 集电极电流Ic(Max): 100 mA 晶体管类型: NPN - Pre-Biased 集射极击穿电压(Max): 50 V 基级电阻(R1): 10 kOhms 发射-基极电阻(R2): 47 kOhms 直流电流增益(Min): 80 @ 5mA, 10V 饱和电压(Vce)(Max)@Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 集电极截止电流(Max): 500nA 功率(Max): 246 mW

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