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原厂交期: 1W
类别: 射频场效应晶体管(RF JFET& RF MOSFET)
描述: 封装: Chip 频率: 26GHz 增益: 14dB 测试电压: 3 V 额定电流: 120mA 噪声系数: 5dB 测试电流: 1 mA 输出功率: 25dBm 额定电压: 20 V 晶体管类型: pHEMT FET 系列: *
供应商名称 | 联系方式 | 货期 | 库存 | 批次 | 价格(含税) | 数量&价格(含税) | 操作 |
自营 | 电话:0755-82781085 邮箱:juwei.hu@infinitech.cn | - | - | - | 1+ ¥91.78075 | |