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NCE0224K

品牌: NCE(新洁能)

型号: NCE0224K

封装: TO-252

量产: 量产中

数据手册

原厂交期: -

类别: FET,MOSFET - 单

描述: 封装: TO-252 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 24A FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET 漏源电压(Vdss): 200V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 41mΩ @ 5A,4.5V(N-Channe);45mΩ @ -5A,-4.5V(P-Channe) 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 118 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 1563pF FET 功能: Schottky Diode (Isolated) 功率耗散(Max): 450W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: MDmesh™ II Plus

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TSD18N20M

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KEXIN(科信)

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Truesemi Co ., Ltd.(深圳市信安半导体有限公司)

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Winsok(微硕)

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CR Micro(华润微)

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